Компания Samsung Electronics представила широкую линейку памяти для автономных электромобилей следующего поколения. Новые решения Samsung отвечают требованиям глобального стандарта AEC-Q100 и могут стабильно работать в диапазоне температур от -40°C до +105°C.

Источник: Samsung Electronics

В числе новых продуктов твердотельный накопитель в BGA исполнении с поддержкой интерфейса PCIe Gen3 и протокола NVMe объемом 256 ГБ, чипы DRAM памяти DDR4 и GDDR6 объемом 2 ГБ для высокопроизводительных информационно-развлекательных систем, последняя вместе с флэш памятью 128 ГБ стандарта UFS также предлагается для систем автономного вождения.

Контроллер и прошивка твердотельного накопителя обеспечивают скорости последовательного чтения и записи 2100 МБ/с и 300 МБ/с, что в семь и два раза соответственно выше, чем у современных eMMC. Пропускная способность предлагаемых вариантов GDDR6 достигает 14 Гбит/с на контакт. Новые продукты находятся в серийном производстве.

Samsung представляет решения для автомобильной памяти, ранее использовавшиеся в серверах и ускорителях ИИ. «Усиленная линейка памяти Samsung станет важным катализатором дальнейшего ускорения перехода к эре “серверов на колесах”», — сказал Джинман Хан (англ. Jinman Han), исполнительный вице-президент и глава подразделения глобальных продаж и маркетинга памяти компании Samsung Electronics. Это помогает проложить путь к более безопасному автономному вождению, скорость обработки большого объема данных с датчиков систем автономного вождения критически важна для безопасности. «…То, что раньше было семи-восьмилетним жизненным циклом, теперь сжимается до трех-четырех лет, и в то же время требования к производительности и емкости повышаются до уровня, характерного для серверов», — подчеркнул специалист.