В преддверии грядущей в августе годовой встречи по теме флеш-памяти, расписание выглядит насыщенным и волнующим. Одним из главных игроков, принимающих участие, станет NEO Semiconductor, которая активно развивает инновации в области 3D NAND и 3D DRAM. Этот пионер рынка стремится убедить всю индустрию в необходимости революционных изменений в секторе памяти.

Глава NEO Semiconductor, Энди Хсу, намерен поделиться с индустрией свежими технологическими решениями своей компании. Они представляют собой значительную стоимость для производителей полупроводниковой памяти, облачных провайдеров и корпоративных предприятий.

Со времени анонса их эксклюзивной многоуровневой архитектуры флеш-памяти в 2020 году и последующего развития схожей технологии для DRAM в этом году, NEO Semiconductor активно занята расширением своего клиентского портфеля. Компания уверена, что ее присутствие на Flash Memory Summit 2023 сыграет важную роль в этом процессе.

NEO Semiconductor будет акцентировать внимание на решении проблемы масштабирования с помощью 3D-дизайна. Возросшая потребность в новой структуре DRAM вызвана увеличением требований к приложениям искусственного интеллекта, которые нуждаются в большом количестве оперативной памяти.

Хотя 3D NAND уже признан и широко используется, DRAM еще находится на пути к полному переходу на 3D-архитектуру. Однако NEO Semiconductor намерена перевернуть эту тенденцию, представив свои передовые разработки на саммите.

Они предполагают подробно пролить свет на преимущества своей многоуровневой технологии DRAM, которая базируется на использовании технологии плавающего заряда FBC. В дополнение к этому, они обсудят возможности многослойной архитектуры для замещения классической флеш-памяти, такой как 3D NOR, FFRAM, RRAM, MRAM и PCM.

Вне зависимости от итогового результата саммита, совершенно ясно одно: мероприятие станет полем для обсуждения и изучения будущего флеш-памяти, и в этом диалоге NEO Semiconductor выступит важной фигурой.