Производимый TSMC процессор Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 зарекомендовал себя как вполне успешный, превзойдя даже лучший чип Apple в реальных игровых тестах. Его непосредственный преемник, предполагаемый Snapdragon 8 Gen 2 Plus, принесет лишь небольшие улучшения, включая незначительный рост тактовых частот. С другой стороны, флагман следующего года с предварительным названием Snapdragon 8 Gen 3 может превзойти A17 Bionic, по крайней мере, в многоядерном режиме.

 Информация с Weibo говорит, что оценки Geekbench для Snapdragon 8 Gen 3 могут достигать 1800 и 6500 баллов в одноядерном и многоядерном тесте. Первый находится в пределах лучшего зарегистрированного результата A16 Bionic в 1847 баллов, а второй находится где-то между A16 с его 5382 баллами и Apple M1 с 7143баллами. По сравнению с Snapdragon 8 Gen 2 текущего поколения (около 1500/5240 баллов в Geekbench) будущий чипсет обеспечит почти 20-процентное и 24-процентное улучшение в одноядерных и многоядерных нагрузках соответственно.

 О спецификациях Snapdragon 8 Gen 3 ничего не известно, но, скорее всего, он будет иметь одно ядро Cortex-X3 в сочетании с тремя или четырьмя ядрами Cortex-A720 и четырьмя или тремя ядрами Cortex-A510. Предполагается, что он будет производиться по технологии TSMC N4P, а не N3E, как предполагалось в предыдущих слухах.  

 Заглядывая ещё дальше, сообщается, что его преемник в 2025 году - Snapdragon 8 Gen 4, будет иметь конфигурацию 6+2 с ядрами Phoenix L и Phoenix M на базе Oryon от Nuvia. Также планируется, что он станет первым процессором Qualcomm, изготовленным по технологии TSMC N3E.