Корпорация Kioxia, мировой лидер в области решений для памяти, объявила о том, что она успешно разработала трехмерную флэш память BiCS FLASH пятого поколения со 112-слойной вертикально сложенной структурой. Kioxia планирует начать поставки образцов нового устройства, которое имеет емкость 512 гигабит (64 гигабайта) с технологией 3-bit-per-cell (трехуровневая ячейка TLC), в первом квартале 2020 года. Новый тип памяти предназначен для удовлетворения постоянно растущих требований к широкому спектру приложений и устройств, включая традиционные мобильные устройства, потребительские и корпоративные твердотельные накопители, приложения с поддержкой новых сетей 5G, искусственный интеллект и автономные транспортные средства.

  В дальнейшем Kioxia планирует применять свою новую технологию BiCS FLASH к устройствам с емкостью 1 терабит (128 гигабайт с технологией TLC) и 1,33 терабит 4-bit-per-cell (четырехуровневая ячейка QLC).

  Инновационная 112-слойная технология компании Kioxia в сочетании с передовой технологией схем и производственных процессов позволяет увеличить плотность массива ячеек примерно на 20 процентов по сравнению с 96-слойной структурой. Новая технология снижает стоимость за бит и увеличивает количество получаемых чипов с одной пластины. Кроме того, повышается скорость интерфейса на 50 процентов, обеспечивается более высокая производительность и меньшая задержка чтения. С момента анонса первой в мире технологии 3D флеш памяти в 2007 году, компания Kioxia продолжает развивать технологию в области  флеш памяти и активно продвигает BiCS FLASH, чтобы удовлетворить постоянно растущий спрос на чипы памяти большой ёмкости.

  Память BiCS FLASH пятого поколения была разработана совместно с технологическим и производственным партнером компанией Western Digital Corporation. Она будет производиться на заводе в Йоккаити и на недавно построенном заводе в Китами.