На этой неделе, в рамках Electronic Components Technology Conference (ECTC), Intel официально раскрыла своё обновление технологии упаковки чипов — EMIB-T. Это следующий этап развития Embedded Multi-die Interconnect Bridge, который компания использует для соединения чиплетов в составе мощных процессоров и GPU.
Основная идея EMIB-T — улучшение подачи питания и стабильности сигнала между компонентами. Для этого используются через-кремниевые переходы (TSV) и новые металлическо-изоляционные конденсаторы. Такой подход позволяет избежать перепадов напряжения, которые возникали в классических EMIB-дизайнах, где путь питания был менее прямым. Теперь ток подаётся напрямую через TSV, а интегрированные конденсаторы компенсируют быстрые скачки напряжения.
Эта технология станет основой для работы с HBM4 и HBM4e, оперативной памятью нового поколения, которая будет передавать данные на скорости 32 Гб/с на контакт через интерфейс UCIe. При этом эффективность остаётся на уровне 0.25 пикоджоуля на бит — как у современных решений. Также Intel планирует уменьшить шаг микросоединений (bump pitch) ниже текущих 45 микрометров, чтобы увеличить плотность взаимодействия между чипами.
В планах компании выпуск больших сборок: с 2026 года ожидаются версии размером 120x120 мм, способные вместить до 12 стеков HBM, несколько вычислительных чиплетов и более 20 мостиков EMIB. А к 2028 году Intel рассчитывает на платформы 120x180 мм с 24 стеками памяти, восемью вычислительными модулями и 38 мостами.
Кроме того, были представлены улучшенный теплоотвод и новый метод термосваривания, которые снижают дефекты в термоинтерфейсе на 25% и предотвращают деформацию больших подложек.
