Компания Micron Technology объявила, что первой в отрасли начала поставки микросхем памяти DDR5, изготовленных с помощью передовой технологии EUV-литографии. Эти чипы передаются избранным партнёрам с целью изучения эффективности новейших достижений на текущий момент. Улучшенные разработки обеспечивают повышенную пропускную способность, более низкое энергопотребление и увеличенную плотность ячеек, что критично для прогресса в сфере искусственного интеллекта — от персональных устройств до мощных серверов.

Новая память Micron остаётся в рамках продуктов, основанных на 10-нм технологиях. Хотя точные данные о точности соответствия этой технологии 10 нанометрам отсутствуют, это уже третий шаг в данном направлении. Более того, компания внедрила технологию литографии с использованием современных сканеров на основе экстремального ультрафиолетового диапазона с длиной волны 13,5 нм (EUV), что значительно упрощает последующее увеличение масштаба производства.

Согласно заявлению Micron, избранные партнёры уже начали получать 16-гигабитные чипы DDR5, разработанные на основе технологического процесса 1γ (гамма). В предыдущих технологиях 1α (альфа) и 1β (бета) использовалось оборудование с длиной волны 193 нм. Чипы нового поколения 1γ по целому ряду характеристик превосходят чипы предыдущего поколения 1β. Они на 15% быстрее (до 9200 МТ/с), на 20% экономичнее в плане энергопотребления, а плотность ячеек увеличена на 30%.

Эти улучшенные качества памяти станут особенно важны для периферийных устройств с интеграцией искусственного интеллекта, персональных компьютеров с продвинутыми ИИ-функциями и серверов, работающих с большими языковыми моделями. Память, созданная в рамках технологического процесса 1γ, не ограничится лишь созданием DDR5, но также займет важное место в производстве других видов памяти, таких как LPDDR5X.