Компания SanDisk, недавно отделённая от Western Digital, представила изобретение, которое может укрепить её позиции на многообещающем рынке технологий искусственного интеллекта. Они разработали новую форму памяти. Этот прорыв в технологиях SanDisk именует сверхскоростной флэш-памятью.

Уникальность этого решения заключается в интеграции громадной ёмкости 3D NAND с высокой пропускной способностью архитектуры HBM. Ключевой особенностью является использование 16 слоев передовых 3D NAND кристаллов, соединённых через минимальные каналы передачи данных, называемые сквозными кремниевыми переходами. Всё это дополняется специализированным логическим слоем, позволяющим выполнять параллельную запись и извлечение данных из различных подмассивов NAND. Это дает возможность HBF достичь вместимости в 8–16 раз больше на один стек по сравнению с нынешними решениями HBM.

SanDisk продемонстрировала систему из восьми стеков HBF, обладающую внушительной ёмкостью в 4 ТБ, которую на сегодняшний день HBM предоставить не может. Однако остаётся проблема задержек в NAND, которые гораздо выше по сравнению с HBM. Для использования в задачах искусственного интеллекта это менее критично, но для массового игрового рынка такая память пока не подойдёт.