Южнокорейская компания SK hynix разработала первый в мире чип оперативной памяти DRAM 6-го поколения с самым маленьким в мире узлом, который потребляет на 30% меньше энергии. SK hynix, второй по величине в мире производитель чипов памяти, превзошел Samsung Electronics в создании более совершенного технологического узла.
Южнокорейская компания SK hynix специализируется на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND. Она является третьим в мире производителем микросхем (после Intel и Samsung Electronics) и входит в пятёрку ведущих производителей оперативной памяти.
Первая в отрасли 16-гигабайтная память с двойной скоростью передачи данных 5 (DDR5), также известная как шестое поколение 10-нанометровых процессоров, была создана компанией SK hynix с использованием узла 1с. Поставщик Nvidia утверждает, что этот успех знаменует начало масштабирования оперативной памяти до уровня, близкого к 10 нм.
По данным компании, скорость работы чипа 1c DDR5 улучшена на 11 % по сравнению с предыдущим поколением. Ожидается, что 1c DDR5 будет использоваться в высокопроизводительных центрах обработки данных, массовое производство 1c DDR5 начнется в этом году.
“Мы стремимся предоставлять клиентам дифференцированные услуги, применяя технологию 1с, обладающую наилучшей производительностью и конкурентоспособной стоимостью, в наших основных продуктах нового поколения, включая HBM1, LPDDR62 и GDDR73”, - сказал руководитель отдела разработки DRAM Ким Джонгван. “Мы продолжим работать над сохранением лидерства в области памяти DRAM и закрепим за собой позицию поставщика решений для памяти с использованием искусственного интеллекта, пользующегося наибольшим доверием”, - добавил он.
Поскольку энергоэффективность также повысилась более чем на 9%, SK hynix ожидает, что внедрение 1c DRAM поможет центрам обработки данных снизить затраты на электроэнергию на целых 30%, что весьма важно в условиях, когда развитие искусственного интеллекта приводит к увеличению энергопотребления. Как отмечается в пресс-релизе компании, на протяжении многих поколений усложнялся процесс сжатия 10-нм DRAM-памяти, но компания SK hynix стала первой в отрасли, которая преодолела технологические ограничения, повысив уровень завершенности проектирования благодаря своей технологии 1b, пятому поколению 10-нм DRAM-технологии.
Компания отмечает, что новый продукт от SK hynix позволяет повысить конкурентоспособность. В мае 2023 года компания Samsung Electronics объявила о том, что ей впервые в отрасли удалось наладить массовое производство 1b-нанометровых DRAM-накопителей. SK hynix быстро последовала ее примеру. В начале этого года Samsung объявила, что начнет массовое производство 1c DRAM к концу этого года, но с тех пор не предоставляла обновлений, сообщает Korea JoongAng Daily. Стремление к созданию более компактных вычислительных узлов имеет отношение к конкурентоспособности чипов памяти с высокой пропускной способностью (HBM), которые представляют собой набор DRAM для ускорения обработки данных и которые оказались в центре внимания в свете бума искусственного интеллекта. Новый продукт от SK hynix обеспечивает более высокую экономическую конкурентоспособность по сравнению с предыдущим поколением благодаря использованию нового материала в определенной технологии обработки экстремальным ультрафиолетовым излучением, или EUV, при одновременной оптимизации процесса нанесения EUV total. Как указывается компанией, SK hynix также повысила производительность более чем на 30% за счет технологических инноваций.
По данным компании, массовое производство чипа, размер которого составляет 11 нанометров, планируется в следующем году. Узлы меньшего размера обеспечивают больший объем памяти и энергоэффективность. "На протяжении многих поколений усложнялся процесс сжатия 10-нанометровой памяти DRAM, но компания SK hynix стала первой в отрасли, которая преодолела технологические ограничения, повысив уровень завершенности проектирования, благодаря своей передовой технологии 1b 10-нанометрового технологического процесса", - говорится в пресс-релизе корейского производителя чипов.
