Классическая флеш-память работает на кремниевых транзисторах с плавающим затвором. Более поздние варианты задействуют так называемые ловушки — структурные дефекты в диэлектрических плёнках нитрида кремния. Эти дефекты захватывают электроны и удерживают их неподвижно. При комнатной температуре такие электроны способны жить сотни лет.

Изображение: Flux

Новосибирские учёные предложили и запатентовали устройства на базе подобных плёнок. Следующим шагом станут материалы с высокой диэлектрической проницаемостью: оксиды алюминия и циркония. Это решение тоже получило патент. Оно увеличивает срок хранения информации, снижает энергозатраты при перезаписи и добавляет устойчивости к радиации.

Главный научный сотрудник ИФП СО РАН Владимир Гриценко поясняет: радиационно стойкая энергонезависимая память востребована в орбитальных ЦОДах и космических суперкомпьютерах. Спутники накапливают огромные объёмы данных, а их передача на Землю обходится дорого. Логичнее часть информации хранить и обрабатывать прямо на орбите.

Ещё одно перспективное направление — системы с ядерным источником энергии: корабли с ядерным двигателем и атомные станции на других планетах. Но эксперты предупреждают: без радиационно стойких процессоров, которые пока остаются слабым местом, полноценной отдачи не будет.

Для серии нужны вложения в строительство и модернизацию фабрик, собственное литографическое оборудование для норм 65 нм и меньше, сверхчистые газы и химикаты. Не обойтись и без подготовки кадров с долгосрочной господдержкой.