Компания Samsung представила совершенно новый тип памяти GDDR6, который удваивает емкость DRAM и увеличивает ширину интерфейса, чтобы удвоить ее пиковую пропускную способность. Чипы GDDR6W от Samsung используют традиционную упаковку BGA.

Современные чипы GDDR6 и GDDR6X объединяют одно устройство DRAM с 32-битным интерфейсом. В отличие от этого, чип GDDR6W содержит два DRAM с двумя 32-битными интерфейсами, что удваивает емкость (с 16 Гб до 32 Гб на чип), а также ширину интерфейса (с 32 до 64 бит). Для этого в чипах Samsung GDDR6W используется технология Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), которая заменяет традиционную печатную плату перераспределительным слоем (RDL). Он имеет значительно более тонкие схемы разводки.

Устройства Samsung GDDR6W обычно используют те же протоколы, что и GDDR6, но предлагают более высокую производительность и емкость. Например, чип памяти GDDR6W емкостью 32 Гбит может обеспечить пиковую пропускную способность 176 Гбит/с по сравнению с 88 Гбит/с в случае обычного чипа GDDR6 SGRAM. Между тем, сборка 32-гигабайтной микросхемы памяти из двух 16-гигабайтных модулей памяти может быть дешевле, чем сборка монолитного 32-гигабайтного модуля памяти.

Производитель памяти говорит, что использование упаковки FOWLP позволяет уменьшить толщину упаковки GDDR6W до 0,7 мм по сравнению с 1,1 мм в случае стандартных чипов GDDR6, что облегчает их охлаждение. Хотя здравый смысл подсказывает, что упаковка FOWLP дороже, чем традиционная упаковка BGA, неясно, насколько первая дороже второй. Тем не менее следует отметить, что память GDDR6W от Samsung должна быть дешевле, чем память с высокой пропускной способностью, такая как HBM2E, как с точки зрения производства стека памяти, так и с точки зрения использования, поскольку GDDR6W не требует использования дорогостоящих интерпозеров.

Чтобы представить рекламируемые показатели производительности GDDR6W в контексте, Samsung заявляет, что 512-битная подсистема памяти GDDR6W (которая использует восемь микросхем) может обеспечить пропускную способность на системном уровне до 1,40 Гбит/с при скорости передачи данных 22 Гбит/с. Напротив, 4096-битная подсистема памяти HBM2E предлагает до 1,60 ТБ/с при скорости передачи данных 3,2 GT/s, но по значительно более высокой цене.

Samsung стандартизировала свою технологию GDDR6W во втором квартале 2022 года. После этого компания планирует использовать GDDR6W для искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителей и таких устройств как ноутбуки. Хотя AMD и Nvidia еще не поддерживают GDDR6W, Samsung заявляет, что планирует сотрудничать со своими «партнерами по графическим процессорам», не раскрывая фактических компаний, с которыми она работает.

«Применяя передовую технологию упаковки для GDDR6, GDDR6W обеспечивает вдвое большую емкость памяти и производительность по сравнению с корпусами аналогичного размера», — сказал ЧеолМин Парк, вице-президент по бизнес-планированию в Samsung Electronics Memory Business. «Благодаря GDDR6W мы можем продвигать дифференцированные продукты памяти, которые могут удовлетворить различные потребности клиентов, — важный шаг к закреплению нашего лидерства на рынке».