Новый пятиуровневый процесс EUV от Samsung обеспечивает самую высокую в отрасли плотность битов DRAM, повышая производительность примерно на 20% новинка
анонсы и реклама

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила сегодня о начале массового производства самой маленькой в отрасли, 14-нанометровой (нм) памяти DRAM, основанной на технологии фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). После того как в марте прошлого года компания поставила первую в отрасли EUV DRAM, Samsung увеличила количество слоев EUV до пяти, чтобы предоставить на сегодняшний день самый совершенный и передовой процесс DRAM для своих решений DDR5.

реклама

«Мы возглавляем рынок DRAM почти три десятилетия, внедряя ключевые инновации в технологии создания паттернов. Сегодня Samsung устанавливает еще одну технологическую веху, создав многослойный EUV-фильтр, который позволил добиться максимальной миниатюризации на 14 нм - подвиг, невозможный при использовании обычного процесса с использованием фторида аргона (ArF). Основываясь на этом прогрессе, мы продолжим предлагать наиболее дифференцированные решения для памяти, полностью удовлетворяя потребность в большей производительности и емкости в управляемом данными мире 5G, AI и метавселенной» — сказал Джуён Ли, старший вице-президент и руководитель отдела продуктов и технологий DRAM в Samsung Electronics.

По мере того как DRAM продолжает уменьшаться в диапазоне 10 нм, технология EUV становится все более важной для повышения точности формирования рисунка для повышения производительности и увеличения производительности. Применяя пять слоев EUV к своей 14-нм DRAM, Samsung достигла наивысшей битовой плотности, увеличив при этом общую производительность пластины примерно на 20%. Кроме того, 14-нм техпроцесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с узлом DRAM предыдущего поколения.

Используя новейший стандарт DDR5, 14-нм DRAM от Samsung поможет разблокировать беспрецедентные скорости до 7,2 гигабит в секунду (Гбит / с), что более чем вдвое превышает скорость DDR4 до 3,2 Гбит / с.

анонсы и реклама

Samsung планирует увеличить плотность своих 14-нм чипов DRAM до 24 Гбайт, чтобы лучше удовлетворять быстро растущие потребности глобальных ИТ-систем в данных.

5
Показать комментарии (5)

Популярные новости

Сейчас обсуждают