Производители стараются выжать из твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 4.0 максимум скорости, но его возможности исчерпаны. По этой причине они смотрят в сторону более современного стандарта PCIe 5.0. Пока одни производители сообщают о накопителях с пропускной способностью более 10 ГБ/с, Samsung хочет обскакать всех их за счёт памяти V-NAND 8-го поколения.

Ранее в этом году был выпущен накопитель Samsung 990 PRO NVMe. Его скорость достигает 7450 МБ/с, что делает его одним из самых быстрых потребительских SSD на PCIe 4.0. Там применяется флэш-память Samsung V-NAND 7-го поколения. Скоро ей на смену придёт память нового поколения.

В августе Samsung запустила её производство. Тогда подробных данных о спецификациях не было, но теперь этот пробел был восполнен.

Samsung V-NAND 8-го поколения использует 236 слоёв и поддерживает скорость до 2,4 ГТ/с, то есть более 12 ГБ/с. Samsung говорит о приросте в 1,2 раза по сравнению с предыдущим поколением V-NAND.

V-NAND 8-го поколения поддерживает до 128 ГБ на одном модуле флэш-памяти, что позволяет повысить вместимость накопителей. Samsung говорит о самой высокой плотности хранения данных.

Сначала Samsung может применить эту память в накопителях на PCIe 4.0, а потом с PCIe 5.0. Это позволит преодолеть ограничение пропускной способности 8 ГБ/с у PCIe 4.0 x4.

Дата релиза потребительских накопителей на V-NAND 8-го не называется. Первыми могут появиться корпоративные модели для рабочих мест и серверов, считает Techspot.