Компания Qualcomm в следующих флагманских процессорах будет уделять основное внимание энергопотреблению и устойчивой производительности. Эти процессоры представят ближе к концу года и они войдут в состав большинства дорогостоящих смартфонов первой половины будущего года, таких как Samsung Galaxy S23.

Нынешние Snapdragon 8 Gen 1 и Snapdragon 8+ Gen 1 являются очень производительными. При этом они расходуют много энергии и нагреваются. Qualcomm хочет избавиться от подобных недостатков.

С этой целью была собрана команда разработчиков успешного по соотношению производительности и потребления чипа Snapdragon 835. Он работал на достаточно скромной пиковой тактовой частоте 2,3 ГГц и был в своё время рекордсменом по низкому энергопотреблению.

Snapdragon 835 производился на техпроцессе 10 нм, тогда как сейчас используется 4 нм, а скоро будет 3 нм. Snapdragon 8 Gen 2 может выпускаться на техпроцессе 4 нм второго поколения компании TSMC.

Чип под кодовым именем Kailua имеет модельный номер SM8550. Сообщается, что у него будет одно быстрое ядро Cortex-X3, дающее прирост производительности на 25% по сравнению с X1 в Snapdragon 8 Gen 1. Также будут два ядра Cortex-A715, два Cortex-A710 и три Cortex-A510.

Так Qualcomm сможет сочетать ядра с разными соотношениями энергопотребления и производительности, в зависимости от нагрузки, сокращая расход энергии до минимально возможного. В мае один инсайдер сообщил, что тесты эффективности Snapdragon 8 Gen 2 показывают хорошие результаты, превосходя предшественников.

Для сравнения, быстрый Snapdragon 8+ Gen 1 в Galaxy Z Flip 4 так сильно тормозит из-за нехватки места для охлаждения в тонком корпусе, что по энергопотреблению в 3D-играх уступает Snapdragon 888 из Z Flip 3.

Анонс Snapdragon 8 Gen 2 может состояться на мероприятии Qualcomm 15-17 ноября, пишет Phonearena.