Хотя Samsung большинство среднестатистических пользователей знают как производителя смартфонов или телевизоров, южнокорейская компания занимается множеством других продуктов. В частности, она является одним из ведущих производителей чипов памяти и на этой неделе было объявлено о достижении в этой сфере.

Samsung создала первый в мире модуль DDR5 вместимостью 512 Гб с технологией High-K Metal Gate (HKMG). Она прежде применялась в логических полупроводниках и позволяет повысить производительность при снижении энергопотребления на 13%. HKMG, используемая в памяти Samsung GDDR6 с 2018 года, позволяет создавать модули под нагрузки с высокой пропускной способностью на суперкомпьютерах.

Утверждается, что эта память может очень хорошо справляться с задачами, выполняемыми алгоритмами ИИ и машинного обучения, а также с анализом данных.

«В DDR5 от Samsung применяется технология HKMG, ранее встречавшаяся в логических полупроводниках. При миниатюризации компонентов DRAM изоляционный слой становится тоньше, а это ведёт к повышению токов утечки. Заменив изолятор на HKMG, Samsung добьётся в DDR5 уменьшения утечек и повышения скорости. Уменьшение энергопотребления делает её хорошо пригодной для центров обработки данных, где энергоэффективность крайне важна».

В модуле используется технология сквозного кремния, также известная как TSV, для объединения восьми различных чипов DRAM объёмом 16 Гб.

«Задействуя эту инновацию в DRAM, мы сделаем лучше память для компьютеров, которые применяют в медицинских исследованиях, финансах, автономных транспортных средствах и т.д.».

Новый модуль превосходит DDR4 более чем в два раза, позволяя передавать 7200 Мбит/с.