Китайский производитель Naura Technology Group сообщил о создании двухэтапного процесса травления для производства 3D DRAM-чипов. Санкции со стороны западных стран запрещают продавать в Китай передовые EUV-технологии для производства чипов, поэтому местным компаниям необходимо делать ставку на вертикальные методы производства и проектирования чипов.

В начале 2026 года Huawei анонсировала технологию проектирования чипов Tau Scaling. Лежащая в её основе архитектура LogicFolding позволяет вертикально размещать логические схемы для уменьшения сопротивления, улучшения связи, производительности и плотности транзисторов до уровня чипов на техпроцессе 1,4 нм. Этот результат планируется достичь к 2031 году. Подобная архитектура устраняет необходимость увеличивать плотность транзисторов за счёт уменьшения размеров схем с применением EUV-литографии.

Изображение: Gemini

Naura Technology планирует использовать такой же подход при производстве памяти. Компания описала метод равномерного травления 64-слойной 3D DRAM-памяти на основе слоёв кремния (Si) и кремния-германия (SiGe). Эти материалы в чипах 3D DRAM располагаются попеременно, а SiGe удаляется, освобождая место между слоями Si для размещения строковых и битовых линий, а также затворов внутри канального слоя. Процесс называется травлением, и инженеры Naura говорят о преодолении связанных с ним ограничений. Речь идёт о разъедании химикатами соседних слоёв Si, из-за чего нарушается однородность, оседании побочных продуктов на дне стека и неспособности химикатов добраться до нижних слоёв.

Naura применяет двухэтапный процесс травления. На первом этапе на слои SiGe воздействуют электрически нейтральные радикалы фтора. Это формирует тонкую защитную плёнку фторида германия на слоях Si. На втором этапе удаляются побочные продукты при помощи плазменно-ассистированной очистки.

В результате слои SiGe травятся более чем в 500 раз быстрее, чем слои Si, при толщине слоя SiGe 200 нм между двумя слоями Si. Потеря толщины слоёв кремния составляет менее 10 ангстремов. Структурная однородность превышает 95%, поэтому нижний слой имеет толщину не менее 190 нм, если толщина верхнего слоя равна 200 нм на 64 парах слоёв.