Стало известно, что компания AMD изучает новый подход к системной памяти. Он может дать новый импульс развитию DDR5, которая с трудом справляется с требованиями игр, искусственного интеллекта и вычислений с интенсивным использованием данных. Полученный AMD патент описывает «архитектуру модуля памяти с высокой пропускной способностью». Это конструкция, призванная расширить возможности технологии DDR5 без фундаментальных изменений в её базовых микросхемах.

В патенте описывается разработка модулей памяти с высокой пропускной способностью и двухрядным расположением выводов (HB-DIMM). Они используют псевдоканалы и специализированную маршрутизацию данных для повышения производительности. Вместо модернизации чипов DRAM AMD собирается объединять несколько устройств DRAM с усовершенствованными микросхемами буфера данных. Эти буферы управляют потоком сигналов так, что выходная производительность удваивается с 6,4 Гбит/с до 12,8 Гбит/с.

Это обновление может быть внедрено без общеотраслевого пересмотра производственных стандартов. В основе архитектуры лежит схема драйвера тактовой частоты регистра, которая декодирует команды памяти и маршрутизирует их с помощью бита идентификатора чипа. Это позволяет модулю назначать задачи независимым адресуемым псевдоканалам, обеспечивая настоящий параллельный доступ.

Система поддерживает режимы работы 1n и 2n, обеспечивая гибкость в управлении тактовой частотой и сигналами. Эта адаптивность даёт соответствие требованиям DDR5 и снижает сложность сигнализации. Вместо использования конфигураций с чередованием предложение AMD задействует упрощённый формат передачи без чередования, который снижает задержку и повышает целостность сигнала.

Доступна возможность переключения между псевдоканальным режимом и четырёхранговыми конфигурациями. Подобная универсальность подходит для высокопроизводительных вычислительных сценариев, где важен баланс между пропускной способностью и гибкостью.