Samsung Electronics планирует использовать 3-нанометровую технологию тайваньской TSMC для изготовления базовых кристаллов памяти нового поколения, разрабатываемой специально для ИИ-чипов NVIDIA. Это станет первым случаем сотрудничества двух конкурирующих производителей на этапе производства компонентов высокоскоростной памяти HBM.

Речь идёт о специальной памяти NVHBM, которую NVIDIA будет использовать в своих будущих ИИ-ускорителях. Компания стремится унифицировать архитектуру памяти разных поставщиков, чтобы упростить интеграцию компонентов и обеспечить более стабильные характеристики систем. В августе NVIDIA представила концепцию NVHBM, предусматривающую перенос части функций контроллера памяти в базовый кристалл.Источник изображения: Reuters
URL изображенияСогласно публикации Seoul Economic Daily, на которую ссылается Reuters, NVIDIA попросила Samsung, SK Hynix и Micron использовать 3-нанометровый техпроцесс TSMC для производства базовых кристаллов, а для основных кристаллов памяти – технологию DRAM шестого поколения. Samsung после внутренней оценки согласилась с этими требованиями. При этом компания намерена сохранить собственный производственный подход для стандартной HBM и специализированных решений для других заказчиков.

Базовый кристалл выполняет логические функции управления обменом данными между слоями памяти. Использование более совершенного техпроцесса позволяет разместить больше логики на ограниченной площади и потенциально повысить скорость передачи данных и энергоэффективность. Для ИИ-ускорителей это особенно важно: производительность вычислительных чипов всё чаще ограничивается скоростью передачи данных между процессором и памятью.

Сотрудничество необычно тем, что Samsung и TSMC конкурируют в производстве полупроводников. Samsung располагает собственными мощностями по выпуску логических чипов и памяти, но в данном проекте готова использовать технологию главного конкурента для одного из компонентов, поскольку это поможет выполнить требования NVIDIA.