Samsung готовит свои новые решения для памяти и намерен перехватить инициативу на международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) 2024 года, которая пройдет в Сан-Франциско с 18 по 22 февраля. Корпорация разработала новое поколение флэш-чипов QLC, которые имеют 280 слоев и плотность 28.5 ГБ на квадратный миллиметр.

  Утверждается, что новые чипы Samsung QLC NAND V9 плотнее на 50% по сравнению с конкурентами, что позволяет им иметь самую высокую плотность в индустрии флэш-памяти. Кроме того, чипы QLC NAND V9 имеют более высокую скорость - 3.2 Гбит/с по сравнению с предыдущим поколением, где эта скорость составляла 2.4 Гбит/с.

  Однако для твердотельных накопителей на базе QLC все еще актуальны проблемы передачи данных и производительности, отмечает Tom's Hardware. Но благодаря пропускной способности 3.2 Гбит/с новые чипы станут привлекательным решением для твердотельных накопителей PCIe. Компания Samsung уже готовится к продажам твердотельных накопителей M.2 ёмкостью 16 ТБ на основе технологии QLC NAND V9.

  Samsung уже неоднократно заявлял о будущем твердотельных накопителей на основе флэш-чипов QLC NAND, поскольку чипы памяти TLC быстро достигают максимальной исходной емкости. Благодаря новым чипам QLC поверхностная плотность значительно увеличится, что позволит снизить затраты на производственный процесс. Однако, скорость этих чипов все еще не соответствует современным твердотельным накопителям Samsung NVMe, которые также продаются и конкурентами.

  Презентация Samsung на предстоящей конференции ISSCC должна подтвердить значительный прогресс компании в разработке технологии QLC. Современные твердотельные накопители на базе QLC используют большие объемы кэш-памяти, занимающие до 25% от общего объема накопителя, что немного снижает проблемы с производительностью. Однако, при заполнении кэша скорость записи может снизиться до уровня SATA, 100-300 Мбит/с.

Среди производителей памяти, которые в настоящее время конкурируют с Samsung на рынке QLC-накопителей, стоит отметить Micron, разработавшую 232-слойный QLC-чип с плотностью хранения данных 19.5 ГБ на квадратный миллиметр, а также YMTC, которая разрабатывает рекордное решение для памяти QLC с 232 слоями и плотностью 20.62 ГБ на квадратный миллиметр.