Samsung работает над следующим поколением литографии — 1-нм техпроцессом, который в компании называют «полупроводниковым узлом мечты». Переход с 2 нм на 1 нм требует принципиально иного подхода к компоновке элементов. Вместо традиционной технологии GAA (Gate-All-Around) инженеры используют Forksheet. 

Изображение: WCCFTech

Суть метода — в добавлении непроводящей перегородки между транзисторными структурами. Похоже на то, как если бы между двумя зданиями убрали газон и построили еще одно. В результате на той же площади чипа помещается больше элементов.

Ранее Samsung столкнулась с трудностями. Exynos 2600, выполненный по 2-нм техпроцессу, потреблял 30 Вт при тестировании в Geekbench 6. Версия Galaxy S26 на чипе Snapdragon работала на 28 процентов дольше.

Теперь компания делает ставку на Forksheet. Исследования должны завершиться к 2030 году, а серийное производство начнется через год. Удастся ли решить проблемы энергоэффективности — пока вопрос.