Полупроводниковая отрасль столкнулась с физическими пределами традиционных подходов. В Samsung признают, что дальнейшая миниатюризация процессов не дает существенного выигрыша.

На семинаре в сеульском выставочном центре COEX вице-президент Samsung Electronics Шин Чон-шин привел конкретные цифры. По его словам, переход на более тонкие техпроцессы теперь обеспечивает всего 10-15% улучшения характеристик. Для сравнения: при переходе с 7-нанометрового на 3-нанометровый процесс метод DTCO обеспечивает уже 50% общего прироста производительности.

DTCO — это метод оптимизации интеграции проектирования и процесса. Инженеры анализируют технологические ограничения и ищут альтернативы на основе запросов заказчиков вроде Tesla. Такой подход позволяет повысить эффективность размещения ячеек и уменьшить площадь кристалла.

Samsung уже использует новые архитектуры. Компания перешла от FinFET к структурам Gate-All-Around, начав с 3-нм техпроцесса. Сейчас завершена базовая разработка второго поколения 2-нм процесса GAA. Третью итерацию планируют внедрить в течение двух лет.

При этом в полупроводниковой отрасли даже 1-2% разницы в производительности считаются значимыми. Такой показатель может стать ключевым критерием при выборе технологического процесса.

Samsung и TSMC уже создали специальные команды DTCO. Они одновременно работают над совершенствованием как конструкции чипов, так и технологических процессов. Дополнительно компания использует искусственный интеллект для автоматического создания новых структур ячеек.

По некоторым данным, Samsung могла отложить выпуск 1,4-нм техпроцесса, чтобы сосредоточиться на совершенствовании текущих разработок. В приоритете — не гонка за миниатюризацией, а поиск комплексных решений для повышения эффективности.