Группе ученых из Стэнфордского университета, а также их коллегам из Тайваня, удалось разработать функционирующие прототипы памяти, которые изготовлены с применением особого материала, имеющего в своем составе довольно редкие элементы. Об этом сообщил интернет-ресурс Live Science.
Материал, названный "GST467", содержит германий, сурьму и тербий. Его поместили в специальную слоистую структуру (сверхрешетку), в которой он занимает всего лишь один слой.
Чем же интересен данный материал? В перспективе она откроет дорогу к созданию универсальной памяти, способной заменить как энергозависимые (ОЗУ), так и энергонезависимые (SSD) устройства хранения данных. Плюсом ко всему она окажется более быстрой, дешевой и энергоэффективной, о чем заявили сами ученые, отталкиваясь от результатов тестирования.
Перед этим, правда, им необходимо решить некоторые технические вопросы, препятствующие ее можно будет полноценно использовать. Радует то, что ученые уже довольно близки к этому.
Разработанные прототипы памяти относятся к особой ее разновидности, подразумевающей изменение фазового состояния (Phase-change memory, PCM), чья функция заключается в создании единиц и нулей в зависимости от высоко- или низкоомного состояния материала. В процессе кристаллизации материала PCM (в этот момент он выступает в роли единицы) происходит выброс большого количества энергии при низком сопротивлении. При противоположном процессе, то есть при плавлении, материал имеет высокое сопротивление и поглощает такое же количество энергии, становясь "нулем".
По мнению исследователей, GST467 идеально подходит для его использования в PCM-памяти, поскольку он обеспечивает более высокую температуру кристаллизации и более низкую температуру плавления в отличие от других альтернатив.
Во время проведения соответствующих исследований команде удалось разработать и протестировать около сотни экземпляров функционирующей памяти, которые имеют разные размеры (они были встроены в различные устройства). В этих экземплярах GST467 использовался в качестве единичного слоя сверхрешетки.
В результате тестирования новоиспеченной памяти, базирующейся на GST467, удалось выяснить следующее: она имеет высокую скорость работы, а также потребляет крайне малое количество энергии. Кроме того, ученые заявили о впечатляющей устойчивости материала к высоким температурам. Он способен хранить данные при температуре выше 120 градусов по Цельсию на протяжении 10 лет и более.
Все эти вышеназванные преимущества делают данную память достаточно перспективной. Единственное, сейчас нельзя точно сказать, когда она будет окончательно готова, и когда она появится в свободной продаже, если появится вообще.
