Интернет-ресурс Block & Files поделился информацией, касательно разработки и применения памяти типа FeRAM недостижимого ранее объема. На международной конференции IEEE по электронным устройствам IEDM 2023, которая проходила в декабре прошлого года, американская компания Micron объявила о производстве FeRAM памяти объемом 32 Гбит. Для сравнения стандартный объем памяти такого типа варьируется от 8 до 128 Мбит. Данное событие вполне себе тянет на начало новой эры энергонезависимой памяти.
В чем особенность памяти FeRAM? Скорость её работы заметно выше чем у NAND. По этому показателю она близка к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM способны хранить заряд в ячейках даже при условии отсутствия подачи электричества, впрочем, это характерно для любой энергонезависимой памяти. Также память FeRAM заметно более износостойкая. Таким образом можно смело утверждать что её применение крайне предпочтительно в устройствах для хранения данных. Кроме того, стоит упомянуть об еще одной важной особенности FeRAM. На нее практически не действуют такие источники помех как: радиация, магнитные поля и скачки температуры. По этой причине она часто используется в различных устройствах связанных с космической сферой деятельности, а это любое бортовое оборудование на ракетах, спутниках, телескопах и т.д.
Однако даже такие достаточно весомые плюсы не позволили FeRAM вытеснить привычную всем, безальтернативно использующуюся в SSD, память типа NAND. Все из-за чрезвычайно малой плотности размещения ячеек, и как следствие, слишком маленьких объемов памяти, что делает её мало пригодной в современное время для современного пользователя. Кроме того, NAND еще и дешевле в производстве, что, вероятно, и стало основной причиной проигрыша FeRam памяти в потребительском рынке.
Как заявляет сама компания Micron, новые чипы FeRAM должны ускорить развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. В этом поможет их невероятная скорость записи (70-120 наносекунд у FeRAM против 300 микросекунд у NAND) и значительно большая износостойкость. Данные, находящиеся в памяти FeRAM, а это ничто иное как заряд в ячейке, способны удерживаться в ней до 10 лет. Опытный чип Micron выдерживает до 1015 циклов перезаписи, что существенно больше чем у аналогичной продукции конкурентов в лице Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba. Новая память уже получила название NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory).
