Исследователи из Технологического института Джорджии добились значительного прогресса, разработав первый в мире функциональный полупроводник на основе эпитаксиального графена. Этот материал, полученный путем сплавления графена с карбидом кремния, предоставляет новые перспективы для электронной индустрии.

Графен, состоящий из одного слоя атомов углерода, обычно не применялся в электронике из-за отсутствия "запрещенной зоны", необходимой для работы транзисторов. Исследователи удачно преодолели этот барьер, легируя графен атомами, которые "отдают" электроны в процессе специального легирования. Таким образом, был создан функциональный графеновый полупроводник с этой важной характеристикой.

Этот новый полупроводник не только является первым в мире работающим примером своего класса, но также обладает выдающейся прочностью и подвижностью, превосходящей кремний в 10 раз. Эти характеристики делают его не только перспективным вариантом для электронной промышленности, но и предоставляют возможность интеграции в существующие производственные процессы, открывая новые горизонты для коммерциализации данного материала.