Компания SK Hynix анонсировала микросхемы памяти типа LPDDR3 плотностью 6 Гбит, производимые в соответствии с топологическими нормами 20 нм. Эти изделия предназначаются для применения в смартфонах или планшетных устройствах и отличаются не только высокой плотностью, но и сравнительно небольшим энергопотреблением.

Микросхемы можно использовать для компоновки модулей ОЗУ объёмом 3 Гбайт. Как поясняет SK Hynix, такое изделие будет потреблять приблизительно на 30% меньше энергии в сравнении с аналогичным модулем, составленным из микросхем плотностью 4 Гбит. При этом физические размеры устройств будут одинаковы. Эффективная частота микросхем может достигать 1866 МГц. Это соответствует пропускной способности 7.4 Гбайт в секунду для одноканального 32-разрядного контроллера и 14.8 Гбайт в секунду – для двухканального.

В настоящий момент SK Hynix ведёт поставки образцов новых микросхем заказчикам. Массовое производство должно начаться в первом квартале 2014 года.