Важным параметром для любого мобильного устройства является время его автономной работы, по этой причине конструкторы учитывают каждый милливатт, потребляемый тем или иным компонентом. Компания Micron, специализирующаяся на разработке запоминающих устройств, представила новый тип энергоэффективной памяти под названием DDR3Lm, которая должна найти применение в ультратонких ноутбуках и планшетах.

Главным отличием DDR3Lm от стандарта DDR3L является пониженный расход в режиме регенерации: микросхемы ёмкостью 2 и 4 Гбит потребляют в два раза меньше энергии (ток IDD6 равен 3.7 мА), нежели память DDR3L аналогичного объёма. Микросхемы характеризуются возможностью работать на эффективной частоте 1600 МГц (1600 миллионов транзакций в секунду), а в случае необходимости могут быть ускоренными до 1866 МГц.

Micron уже представила образцы микросхем заинтересованным клиентам и планирует начать массовое производство памяти DDR3Lm по 30 нм технологии во втором квартале.