Как и было обещано в прошлом месяце, компания Globalfoundries сегодня рассказала о своих планах по расширению производственных мощностей. Первым делом, в предместьях Дрездена на территории Fab 1 будет построен ещё один производственный корпус, который увеличит площадь "чистых комнат" предприятия на 10 219 кв.м, а объём обрабатываемых ежемесячно кремниевых пластин возрастёт до 80 000 шт. На Fab 1 компания будет выпускать микросхемы и процессоры по технологическим нормам 45 нм, 40 нм и 28 нм, а также приступит к переходу на 22 нм техпроцесс. Новый производственный корпус начнёт выдавать продукцию в 2011 году. Строительство должно начаться незамедлительно после получения одобрения местных властей и Еврокомиссии.

В штате Нью-Йорк, где уже ведётся строительство Fab 8, компания Globalfoundries собирается в полтора раза увеличить площадь производственных мощностей. В совокупности площадь "чистых комнат" здесь может достигать 27 871 кв.м, а ежемесячный объём обрабатываемых кремниевых пластин будет равен 60 000 шт. На проектную мощность Fab 8 выйдет в начале 2013 года. Фабрика будет заниматься выпуском микросхем и процессоров по технологическим нормам 28 нм, 22 нм и 20 нм. Решение о расширении площадей должно быть одобрено американскими властями в ближайшее время. На расширение Fab 1 и Fab 8 арабские инвесторы собираются потратить более $3 млрд.

Владеющая основной частью акций Globalfoundries компания ATIC также собирается построить в окрестностях международного аэропорта Абу-Даби (ОАЭ) технологический кластер, который расположится на площади в три квадратных километра. Судя по всему, здесь Globalfoundries будет вести свои разработки. Кроме того, сингапурская Fab 7 в ближайшее время увеличит объём производства кремниевых пластин в полтора раза, до 50 000 штук в месяц. Fab 7 досталась Globalfoundries после покупки Chartered Semiconductor. Фабрика будет использовать технологические нормы 65 нм, 55 нм и 40 нм.