Известный производитель чипов памяти, компания Elpida, сообщила сегодня о создании первых в индустрии микросхем DD3 SDRAM ёмкостью 1 Гбит, способных обеспечить пропускную способность до 2.5 Гбит/сек при напряжении 1.5 В. Таким образом, новая продукция компании Elpida способна дать старт выпуску оверклокерских модулей DDR3-2500 памяти, благодаря которым производительность современных систем с DDR3 SDRAM может быть поднята на принципиально новый уровень. Впрочем, пока что особо обольщаться не следует – начало поставок первых образцов микросхем запланировано только на конец августа, так что до выпуска модулей, собранных на новых микросхемах, может пройти достаточно продолжительное время.

Следует заметить, что столь значительное увеличение частот функционирования DDR3 чипов обеспечивается разработкой инженерами Elpida нового ядра, использующего медные соединения вместо применявшихся ранее алюминиевых. Это нововведение позволило не только на 25% увеличить предельную пропускную способность чипов, но и снизить их рабочее напряжение и энергопотребление. Так, новые микросхемы памяти способны использоваться не только в высокоскоростных модулях для серверов и настольных компьютеров, но и в DDR3L модулях SDRAM, использующих напряжение 1.2 и 1.35 В вместо привычных 1.5 В. В таком случае эти же микросхемы смогут обеспечить пропускную способность 1.8 Гбит/сек.