На конференции Credit Suisse главе Intel Роберту Суону (Robert Swan) пришлось отвечать на не самые приятные вопросы, но он стойко перенёс возвращение к обсуждению проблем, с которым сталкивается компания. Помимо дефицита процессоров, речь шла и об освоении новых литографических технологий. По словам главы корпорации, переход на 10-нм техпроцесс растянулся на четыре с половиной года, хотя в идеале должен был занять два с половиной. О причинах возникновения проблем с освоением 10-нм технологии руководство Intel говорило не раз. При переходе от 22 нм к 14 нм компания увеличила плотность размещения транзисторов в 2,4 раза, поэтому после такого успеха она поставила задачу увеличить плотность в 2,7 раза при переходе от 14 нм к 10 нм. Подобные амбиции и подвели Intel, поскольку реализовать на практике такое масштабирование она смогла только недавно.

Роберт Суон назвал этот опыт «рубцовой тканью» - буквально, шрамами на теле Intel. Теперь, при проектировании 7-нм и 5-нм продуктов, компания рассчитывает увеличить плотность размещения транзисторов всего в два раза, ставя перед собой реальные задачи. Клиентам нужны новые продукты каждый год, как утверждает нынешний руководитель компании. Начиная с 7-нм техпроцесса, Intel рассчитывает вернуться к прежней периодичности смены техпроцесса – раз в два с половиной года. Это же утверждение относится и к 5-нм техпроцессу. Первый 7-нм продукт, как и было обещано, будет представлен в четвёртом квартале 2021 года. Из недавних откровений Intel мы знаем, что это будет ускоритель вычислений Ponte Vecchio на базе 7-нм дискретных графических процессоров.

Кстати, задержка перехода на 10-нм техпроцесс дала Intel возможность вдоволь поэкспериментировать с EUV-литографией. В этом глава компании увидел положительную роль задержки. В рамках 7-нм техпроцесса литография со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением будет применяться Intel в условиях серийного производства. Правда, два основных конкурента в лице TSMC и Samsung возьмут её на вооружение гораздо раньше 2021 года.