Компания SK Hynix приступила к массовому производству микросхем флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 64 Гбит с топологическими нормами 16 нм. Как отмечают составители пресс-релиза, в настоящее время это наиболее продвинутая технология литографического производства в отрасли.
В сравнении с тестовыми образцами, представленными летом этого года, серийные микросхемы имеют меньшие размеры. Заметим, что уменьшение технологических норм усиливает взаимные помехи между ячейками памяти, и во избежание сбоев в новых микросхемах SK Hynix предусмотрен вакуумный изоляционный слой – Air-Gap.
Также компания объявила о создании микросхемы плотностью 128 Гбит, которая тоже будет выпускаться по 16-нм технологии с начала 2014 года. Добавим, что 16-нм литографию SK Hynix будет использовать и для выпуска микросхем типа TLC NAND, и для 3D NAND.