Одним из наиболее перспективных способов существенного поднятия быстродействия подсистемы хранения данных считается применение резистивной памяти (ReRAM). Данная технология наверняка найдёт себе место в одном из ближайших поколений вычислительных систем, однако, согласно заметке, размещённой на сайте TG Daily, процесс её изучения ещё далёк от финала. Исследователи из университета прикладных наук Юлих-Ахен (Германия) пришли к выводу, что ячейки ReRAM не являются пассивными компонентами, в отличие от жёстких дисков и оперативной памяти, но могут генерировать ток, и быть рассмотренными в качестве микроскопических батарей.
В ходе непростых экспериментов, занявших около 9 месяцев времени, учёные измеряли напряжение разных видов ячеек ReRAM и определяли механизмы генерации тока. Полученные результаты, сопровождённые наглядной демонстрацией, подталкивают к пересмотру общепринятой концепции о пассивной природе элементов ReRAM. Помимо пищи для теоретиков проведённые исследования несут и практическое значение. Упомянутая группа исследователей уже запатентовала технологию использования заряда ячеек для улучшения процесса считывания данных, делая его более качественным и скоростным.