На сайте американского Университета Райса появилась информация о создании прозрачной энергонезависимой памяти. Принцип её действия основан на эффекте вытеснения атомов кислорода из оксида кремния, под действием электрического тока, который был открыт в 2010 году. Микросхемы такой памяти обладают высокой прочностью и гибкостью, кроме того, она способна работать при температуре до 500 градусов по Цельсию. Благодаря трёхмерной компоновке, микросхема такой памяти получается более ёмкой, чем обычная Flash.
В июле этого года образцы такой памяти будут отправлены на МКС; учёные хотят убедиться в стабильности её работы в условиях воздействия космической радиации. На Земле она может применяться в мобильных устройствах, оптических приборах, и различной другой электронике. Следует также упомянуть, что новый тип памяти может сочетаться с прозрачными электродами для гибких сенсорных экранов и прозрачными интегральными схемами и аккумуляторами, разработанными в последние годы в других лабораториях, о чём было упомянуто во время презентации на собрании американского Химического общества в Сан-Диего.