Компания Intel, например, планирует внедрить EUV-технологию не ранее того момента, когда будет налажен выпуск 11 нм микросхем. Если учесть, что в 2013 году компания собирается использовать при производстве 15 нм микросхем "старую добрую" иммерсионную литографию, то приходится рассчитывать на внедрение EUV-технологии не ранее второй половины десятилетия.
Кстати, компания TSMC начнёт закупки оборудования для работы с лазером со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением в 2011 году, в массовом производстве EUV-технология будет внедрена не ранее 2013 года, когда начнётся выпуск 20 нм микросхем. Intel и TSMC решили приобрести у ASML Holding опытную партию оборудования, работающего со сверхжёстким ультрафиолетом.
Globalfoundries, как сообщает сайт EE Times со ссылкой на заявления представителей этой компании, настроена сразу приобретать оборудование для серийного производства микросхем с использованием EUV-литографии - это будет сделано во второй половине 2012 года. Внедрить технологию в массовом производстве планируется не ранее 2014-2015 годов. Пионером освоения новой технологии станет американская Fab 8, строительство которой сейчас ведётся в штате Нью-Йорк.
Примечательно, что Globalfoundries планирует отказаться от использования иммерсионной литографии уже в рамках 16 нм техпроцесса. По мнению представителей компании, выпускать 16 нм микросхемы по методу иммерсионной литографии дороже, чем перейти на использование EUV-технологии.