Micron, с минимумом медийного шума, представила революционную энергонезависимую память FeRAM, обладающую рекордным объемом. Это инновационное решение обещает вытеснить флеш-память NAND, предоставляя несравненную скорость и устойчивость. Эксперты прогнозируют, что новейшая разработка Micron станет игроком-лидером в области вычислений искусственного интеллекта.

FeRAM, уже успешно интегрированная в устройства, такие как счетчики электроэнергии и RAID-контроллеры, теперь привлекает внимание благодаря шагу компании Micron. Новая ячейка памяти емкостью 32 ГБ превосходит текущие разработки от Fujitsu, Sk Hynix и Toshiba. Это перспективно изменит ландшафт индустрии, предоставляя традиционным вычислительным архитектурам более эффективную память для ускоренной обработки данных в области искусственного интеллекта.

Характеристики NVDRAM, предоставленные инсайдерами, впечатляют: ресурс в 10¹⁵ циклов перезаписи, скорость записи от 70 до 120 нс и долговечность данных в ячейке до 10 лет. Несмотря на все достижения, цена и временные рамки начала производства остаются пока загадкой. Глобальное сообщество технологических инноваторов с нетерпением ожидает выхода этого передового технологического решения на рынок.