Компания Micron Technology сообщила, что приступила к отправке глобальным производителям смартфонов и чипсетов квалификационных образцов накопителей Universal Flash Storage (UFS) 4.0 на базе 232-слойной флэш-памяти NAND, передаёт TechPowerUp. По данным Micron, её новые флэш накопители опережают конкурентов в ряде критически важных бенчмарков и обеспечат наилучшую производительность в индустрии для флагманских смартфонов.
Отмечается, что новая 232-слойная TLC NAND память обеспечивает на 100% большую пропускную способность при чтении и на 75% при записи, а шестиплоскостная архитектура памяти значительно улучшает производительность на случайных операциях чтения. Пиковые последовательные скорости накопителей достигают 4300 МБ/с и 4000 МБ/с на чтении и записи соответственно — это примерно в два раза быстрее предыдущего поколения. Кроме того, решения стали на 25% эффективнее и выигрывают у конкурентов по задержке, которая на 10% ниже.
В числе других преимуществ корпоративный вице-президент и генеральный менеджер подразделения мобильных устройств компании Micron Марк Монтье (Mark Montierth) выделяет контроллер с низким энергопотреблением собственной разработки Micron и гибко настраиваемую прошивку.
UFS 4.0 накопители от Micron будут поставляться в вариантах объёмом 256 и 512 ГБ, а также 1 ТБ. Массовое производство запланировано на вторую половину 2023 года.
- Источники
- Micron
- TechPowerUp
