Kioxia начала поставки образцов памяти Quad-Level-Cell (QLC) ёмкостью 2 Тб (терабит), построенных по технологии BiCS FLASH 3D восьмого поколения, сообщает TechPowerUp. Как утверждает компания, это QLC память с высочайшей ёмкостью в отрасли. Благодаря новым технологиям Kioxia добилась вертикального и горизонтального масштабирования кристалла и может создавать чипы со скоростью интерфейса 3,6 Гбит/с.
Источник изображения: KIOXIA
Битовая плотность новой 2-терабитной QLC памяти примерно в 2,3 раза выше, чем у текущего 5-го поколения QLC от Kioxia, а эффективность при записи — на 70 процентов выше. Возможность размещения до 16 кристаллов в одном корпусе позволяет создавать чипы памяти объёмом 4 ТБ (терабайт) при размерах 11,5×13,5×1,5 мм.
Помимо QLC памяти ёмкостью 2 Тб компания Kioxia также расширяет свой ассортимент новой QLC памятью ёмкостью 1 Тб, оптимизированной для достижения более высокой производительности: при операциях последовательной записи эта память примерно на 30% быстрее, а при операциях чтения отличается на 15% меньшими задержками. Терабитные чипы будут использоваться в высокопроизводительных накопителях, включая потребительские твердотельные накопители и накопители мобильных устройств.
