Компания Micron начала строительство двухэтажного завода Fab 10B в Сингапуре, сообщает Tom's Hardware. Новый завод будет специализироваться на производстве широкого ассортимента памяти типа 3D NAND для сферы искусственного интеллекта и центров обработки данных, поскольку компания считает эти направления основными двигателями будущего роста. Строительство займёт более 10 лет и обойдётся примерно в 24 миллиарда долларов.
Новый завод строится на территории существующего производственного комплекса и присоединится к площадкам Fab 10A и Fab 10X, более чем вдвое увеличив площади Micron для производства памяти 3D NAND в Сингапуре. Конфигурация объекта позволяет организовать производство с применением передовых оборудования и технологий, включая чипы памяти более чем с 500 слоями. Также Fab 10B будет использоваться для научно-исследовательских целей, что, как ожидается, упростит интеграцию новых технологий и ускорит наращивание объёмов производства.
По всей видимости, производственные мощности будут вводить в эксплуатацию поэтапно, по мере готовности объекта. Производство первых кремниевых пластин могут запустить уже во второй половине 2028 года.
В Micron называют Сингапур важным центром глобальной производственной сети компании. Micron также строит в стране завод по сборке HBM-памяти. В соответствии с планами, это предприятие внесёт существенный вклад в объёмы производства Micron в 2027 году.