После успешного тестирования компания SK Hynix приступила к использованию новой литографии в крайнем ультрафиолете (EUV) при производстве 10-нм памяти LPDDR4 по технологии 1anm. Благодаря этому смартфоны и мобильные компьютеры получат более скоростную и энергоэффективную память, которая, к тому же станет более дешевой благодаря улучшенной плотности пластин.

 Компания стала первой, выпустившей в 2020 году модули новейшего стандарта оперативной памяти DDR5 для корпоративных пользователей. Память DDR 5 обеспечивает снижение энергопотребления и повышенную надежность благодаря использованию встроенной функции ECC. Что касается продукции для рядовых пользователей, то она должна стать доступна в следующем году вместе с новейшими процессорами AMD и Intel.

 Возвращаясь к технологии 1anm следует сказать, что она является четвертым поколением 10-нм памяти. Предыдущие поколения носили названия: 1x, 1y и 1z. Основное преимущество нового поколения заключается в увеличении на 25 процентов количества микросхем, которые можно получить с одной пластины, что положительно скажется на снижении стоимости чипов.

 Скоростные характеристики памяти LPDDR4, изготовленной с использованием технологии 1anm, составляют 4266 Мбит/с, что является самым высоким показателем на сегодняшний день. Энергопотребление чипов снизилось на 20 процентов, это особенно положительно скажется на времени автономной работы портативных устройств.

 В компании SK Hynix заявили, что новая технология также будет использоваться при производстве памяти DDR5 уже со следующего года. Таким образом рядовые пользователи получат более производительные модули памяти, чем те, которые уже выпущены в данный момент и предназначены для центров обработки данных.