Недавно Samsung объявила, что не будет сокращать свои капитальные затраты на новые технологии памяти, включая GDDR7, которая будет использоваться в графических картах будущего, и V-NAND сверхвысокого уровня для премиальных твердотельных накопителей. Компания также не стремится сокращать производство, несмотря на замедление рыночной конъюнктуры.
Samsung уверена, что ее расходы необходимы для обеспечения технологического превосходства над конкурентами и укрепления позиции в качестве ведущего производителя микросхем памяти. Для этого Samsung делает ставку на производственные процессы следующего поколения, которые позволят масштабировать плотность памяти в DRAM, VRAM и новейшей NAND.
В области DRAM компания объявила, что к 2023 году ее новейшее производство 10-нм класса пятого поколения начнет массовое производство чипов, использующих затворы High-K. Samsung существенно опережает большинство своих конкурентов, которые обычно производят чипы DRAM по 14-нм технологическим нормам.
Память GDDR7 нового поколения от Samsung, которая наверняка станет изюминкой будущих графических ускорителей, уже находится в производстве. Она обеспечивает скорость до 36 Гбит/с, что вдвое больше, чем у GDDR6, равной 18 Гбит/с. При таких скоростях передачи данных 384-битная шина памяти сможет обеспечить пропускную способность около 1,728 ТБ/с, что значительно больше по сравнению с пропускной способностью в 1 ТБ/с у грядущей RTX 4090. Это обеспечит производителям графических процессоров достаточный запас пропускной способности без необходимости увеличения ширины шины, поскольку это приводит к удорожанию печатных плата и еще больше взвинтит стоимость видеокарт следующих поколений.
Что касается NAND, где Samsung является бесспорным лидером, компания в настоящее время разрабатывает и создает прототипы V-NAND 9-го и 10-го поколений с соответствующим увеличением плотности слоев по сравнению с сегодняшними технологиями. В настоящее время Samsung поставляет 176-слойную V-NAND 7-го поколения, а к концу года планирует выпустить чипы V-NAND на основе 230-слойного дизайна 8-го поколения, который увеличит плотность на 42%.
Samsung предвидит еще более значительный скачок в плотности и рассчитывает создать 1000-слойную конструкцию V-NAND к 2030 году. Южнокорейский гигант также продолжает работать над технологией QLC (Quad-Level Cell), надеясь повысить производительность, а также увеличить плотность.
«Даже если текущая ситуация не будет хорошей, мы не изменим курс, который уже наметили. Никто в Samsung пока не говорит о сокращении производства чипов», - сказал Хан Цзинь-ман, исполнительный вице-президент и глава глобального отдела продаж и маркетинга памяти Samsung.
Стоит отметить, что несколько других производителей памяти объявили о сокращении производства памяти в ответ на замедление спроса, что частично связано с общей макроэкономической ситуацией. Замедление спроса уже привело к переизбытку предложения на рынке памяти, который генеральный директор Micron назвал беспрецедентным, что привело к сокращению капитальных расходов в 2023 финансовом году более чем на 30% с дальнейшим сокращением производства пластин на 50 %. В Японии Kioxia также объявила о сокращении производства памяти на 30% в надежде, что этого будет достаточно для освоения накопленных запасов.
Samsung, напротив, предпочитает удвоить свое технологическое лидерство, в то время как его конкуренты сокращают объемы производства. Справедливости ради следует отметить, что многочисленные подразделения и источники доходов Samsung в некоторой степени защищают ее от циклических рыночных условий. Компания также считает, что она может увеличить технологический разрыв со своими конкурентами, придерживаясь своей инвестиционной дорожной карты.