Компания Samsung Electronics успешно завершила разработку логической микросхемы для нового поколения высокоскоростной памяти (HBM4) и начала тестовое производство по нормам 4 нм, что значительно приближает её к началу массового выпуска этой продукции во второй половине 2025 года. Такой ускоренный график на полгода опережает первоначальные планы компании, намеченные на 2026 год, и открывает возможность для получения ключевых заказов на будущие графические решения от Nvidia.
По слухам, отдел хранения данных Samsung уже завершил создание логических чипов, тогда как производственное подразделение активно занимается выпуском пробных версий по технологии 4 нм. Процесс производства HBM4 организован на специализированном заводе D1c, где используется передовая 10-нанометровая технология DRAM. Примечательно, что компания решила пропустить стандартный этап разработки на D1b, чтобы максимально сократить сроки вывода продукта на рынок.
источник изображения: notebookcheckНа конференции ISSCC 2024 были представлены технические характеристики HBM4, демонстрирующие значительное улучшение производительности по сравнению с предыдущими поколениями. Новая память сможет передавать данные со скоростью до 2 ТБ/с, что на 66% превосходит показатели HBM3E. Также она будет поддерживать 2048-битный интерфейс с частотой 6,4 ГТ/с и увеличит объем памяти до 48 ГБ, что на 33% больше, чем у текущей версии.
В то же время главный соперник Samsung в сегменте HBM, компания SK Hynix, тоже ускоряет работы над разработкой HBM4, стремясь выйти на рынок в 2025 году. По прогнозам аналитиков из Hanwha Investment & Securities, SK Hynix сохранит свои позиции лидера по доле рынка и, вероятно, станет первым производителем, который предложит клиентам опытные образцы HBM4.
