На Европейском технологическом симпозиуме 2024 ведущий производитель чипов TSMC раскрыл новые подробности о разработке оснований для стеков высокопроизводительной памяти HBM4. Новая технология памяти обещает значительные улучшения производительности по сравнению с текущим поколением HBM3.
Одним из ключевых нововведений HBM4 является переход с 1024-битного интерфейса на 2048-битный. Это удвоит пропускную способность памяти, что позволит графическим процессорам получать доступ к данным быстрее и эффективнее.
Для реализации 2048-битного интерфейса требуются более передовые технологии упаковки, чем те, которые используются в настоящее время для производства и интеграции памяти HBM. TSMC заявила, что изучает несколько вариантов упаковки, включая использование кремниевых межсоединений TSV (Through Silicon Via) и передовые методы гетерогенной интеграции.
Основания стеков HBM4 от TSMC будут производиться по 12-нанометровому и 5-нанометровому техпроцессам. Это позволит увеличить плотность памяти и пропускную способность по сравнению с текущим поколением HBM3.
Память HBM4 предназначена для удовлетворения растущих требований высокопроизводительных вычислений, таких как искусственный интеллект, машинное обучение и обработка больших данных. Более высокая пропускная способность и плотность HBM4 позволят создавать мощные и энергоэффективные системы в различных отраслях.