Китайский производитель памяти CXMT объявил о начале массового выпуска DRAM по пятому поколению собственного техпроцесса. Новая технология позволяет уменьшить размеры ячеек памяти и увеличить их количество на пластине. Первые серийные изделия уже поступают на рынок.

©Tom's Hardware

Новый техпроцесс, который компания называет G5, использует четырехкратную литографию. Это позволяет сократить активный полушаг DRAM до 11,95 нанометра. Данный показатель примерно соответствует уровню передовых 10-нанометровых технологий, применяемых другими производителями. При этом CXMT напрямую не называет свое решение 12-нанометровым — это упрощение, поскольку речь идет о конкретном размере элемента, а не о стандартном обозначении техпроцесса.

Помимо уменьшения ячеек, компания внедрила металлический затвор с высоким диэлектриком. Это позволило снизить высоту основного массива ячеек до 6762 нанометров. Также были изменены производственные операции и добавлены новые материалы, благодаря чему удалось создать конденсаторы с соотношением глубины к ширине около 45 к одному. Чем глубже и уже конденсатор, тем меньше места он занимает, но тем сложнее его изготовить с высоким выходом годных.

Первыми массовыми продуктами на базе G5 стали чипы LPDDR5X объемом 24 гигабита. Они уже выпускаются и предлагаются в двух вариантах корпуса для разных типов мобильных устройств. По данным китайских источников, эти модули памяти уже используются во флагманских смартфонах на местном рынке. По сравнению с предыдущим поколением их емкость выросла на 50 процентов.

Стоит учитывать, что CXMT не раскрывает процент выхода годных чипов. Без этой информации нельзя точно оценить реальную производительность и стоимость производства. Также неизвестно, насколько новая технология близка к решениям Micron, Samsung и SK hynix по плотности, энергопотреблению и другим характеристикам. Тем не менее, сам факт освоения 12-нанометрового класса DRAM является заметным достижением для китайской компании.