Номиналы резисторов(R1 и R2) разглядеть не удалось, поэтому сначала паял переменник на 15 КОм, но позже выяснилось что можно(и нужно) начинать с меньшего. Например 5 КОм. Переменники подпаиваем на минус соответсвующего операционника(вторые ноги переменников к любой ближайшей земле). Вот поближе:
Оба делителя я выделил, один из них подчеркнул даже.
Также У памяти есть ещё одно важное напряжение Vref (с ним сравнивается Vtt идущее от процессора, для идентификации логического 0 или 1) из даташита оно должно равнятся напряжению Vddq, поделённому пополам с точностью в 1%. Это не силовое напряжение - тока там нет, поэтому обычно делаю делителем от Vddq, в чём можно убедится, "прощупав" резисторы около 49 лапки микросхемы памяти. Поэтому не беспокоимся - поднимая Vddq, будет подниматся и Vref. Правда есть одинь маленький нюанс... Чють ниже.
Собственно тестирование На стабильность проверял ATITool'ом . Выставил на Vdd и Vddq по 2.85 В и начинаю понемногу увеличивать напряжение ядра. Примерно с 1.20(родное напряжение) и где-то до 1.3В о разгоне речь и не шла - и так артефакты сыпались немеряно. Начиная примерно с 1.35В появляется некоторая стабильность и даже удаётся память разогнать до 230Мц. Но если гнать ядро больше 400Мц, то снова лажа. Комбинируя вольтаж заметил, что если на ядре больше 1.5В, то ничего не помогает(ни увеличение вольтажа на память, ни уменьшение её частоты) - квадратного Ёжика(
) даже не видно. Стабилизировать удалось выставив 1.4В на ядро и 2.92В на vddq (стоит отметить, что напряжение на Vdd ни на что не влияло, поэтому синхронно с Vddq выставлял). При этом удалось пройти 3dmark2003 на частотах 500/500. Результат получился ненамного выше чем при безвольтмодовых 430/540.
Собственно основной вывод проведённого эксперимента: надо поднимать напряжение ядра синхронно с Vddq. При этом попадать довольно сложно ввиду неточности регулировки. При малейшем отклонении Ёжик покрывался множеством мелких точек (не свойственно обычным глюкам памяти). Никакие комбинации напряжений мне не дали поднять разгон памяти(стабильных 540 так и не наблюдал), но есть мнение, что если тщательнее подбирать напряжения, то можно достичь уровня разгона памяти как без вольтмода. При этому удастся существенно поднять частоту ядра.
В ходе экспериментов пробовал увеличивать тайминги - увеличения частотного потенциала замечено не было. Также память достаточно серьёзно грелась при напряжениях 2.9В - радиаторы были больше чем тёплые.
На последок интересный факт: На работе есть X550 от Сапфира. При осмотре выяснилось, что очень похожа на мою карту - память питается точно также, за исключением того, что напряжение берётся на оба мосфета с 3.3В. Микросхемы памяти точно такиеже. Беглый разгон показал абсолютно стабильные 640Мц
по памяти. Тайминги были при этом завышены от рекомендуемых в даташите (к слову тайминги на моей карте в соответсвии с даташитом). Попытка выставить такие же тайминги к успеху не привела. Замерил напряжение, которым питалась память на этой X550 - оказалось по 2.85В на Vdd и Vddq(в даташите написано 2.625В максимум на данный тип памяти). Сапфир немного схитрила завольтмодив память ещё при производстве
.
Поковыряюсь немного ещё - попробую улучшить качество питания для своей карточки. Если что получится путного, то добавлю.
зы: На других картах с подобной схемой питания расположение элементов и другие мелкие детали могут отличатся(и будут, как в случае вышописанной X550 например), поэтому я специально не старался выделить контактные площадки к которым нужно подпаиватся. Вместо этого я попытался показать как самому найти эти точки. Надеюсь получилось доступно.
зыы: По вопросам о спаленных карточках претензии не принимаются
. Удачного всем разгона.
