Компания Samsung Electronics объявила о том, что она продвигается в развитии процесса модернизации встроенной магнитной памяти eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory) в соответствии с планом. Компания уже завершила разработку 8-нм технологии eMRAM, массовое производство которой ожидается в 2027 году.
eMRAM - это новый тип памяти, использующий магнитные принципы и обладающий энергонезависимыми свойствами, то есть не требующий частого обновления, как DRAM. Она также более энергоэффективна и имеет более высокую скорость записи, что делает ее подходящей для приложений, требующих высокой скорости записи.
Samsung Electronics уже начала производство 28-нм eMRAM и поставляет ее в смарт-часы и другие портативные устройства. Компания планирует начать массовое производство 14-нм eMRAM в 2024 году, 8-нм eMRAM в 2026 году и 5-нм eMRAM в 2027 году.
В автомобильной промышленности Samsung Electronics ожидает роста спроса на eMRAM благодаря ее высокой термостойкости, которая может выдерживать температуру до 150-160C, что делает ее пригодной для использования в автомобильной электронике.
Ожидается, что технология eMRAM компании произведет революцию в отрасли благодаря высокой скорости записи, низкому энергопотреблению и устойчивости к высоким температурам. Благодаря своим передовым технологиям Samsung Electronics намерена стать одним из крупнейших игроков на мировом рынке памяти.