Сотрудничество при проектировании между разработчиками чипов и литейными предприятиями имеет решающее значение для получения максимальной производительности и минимального энергопотребления микропроцессоров. Во вторник Arm и Samsung объявили, что они будут совместно оптимизировать конструкцию высокопроизводительных ядер Arm следующего поколения Cortex-X и Cortex-A для будущих технологических процессов Samsung, основанных на транзисторах (MBCFET) и технологии Gate-All-around (GAA).
Сотрудничество сосредоточено на оптимизации ядер процессоров общего назначения Arm Cortex-A и Cortex-X для 2-нм техпроцесса Samsung следующего поколения, хотя компании не раскрывают, намерены ли они адаптировать Arm чипы для ожидаемого производственного процесса Samsung SF2 в 2025 году или SF2P в 2026 году.
Компании Arm и Samsung заявили, что они адаптируют ядра Arm Cortex-A и Cortex-X для широкого спектра устройств, включая специализированные микросхемы для центров обработки данных и инфраструктуры нового поколения, смартфоны и различные решения на базе чиплетов, которым необходимы высокопроизводительные ядра ЦП специального назначения.
«Оптимизация процессоров Cortex-X и Cortex-A на новейшем технологическом процессе Samsung подчеркивает наше общее видение переосмысления того, что возможно в мобильных вычислениях, и мы с нетерпением ждем продолжения, чтобы удовлетворить неустанные требования к производительности и эффективности эпохи искусственного интеллекта», - сказал Крис Берджи, старший вице-президент и генеральный директор клиентского бизнеса Arm.
В результате совместной работы Arm и Samsung клиенты двух компаний смогут лицензировать 2-нм оптимизированные для Samsung версии ядер Cortex-A или Cortex-X, в зависимости от того, что им нужно, для своих индивидуальных разработок. Это упростит процесс разработки и ускорит выход на рынок, что потенциально означает, что пользователи смогут увидеть 2-нм разработки Samsung для центров обработки данных и смежных приложений раньше, чем ожидалось. Однако на данный момент Arm и Samsung умалчивают о том, когда они смогут предложить клиентам первые плоды их сотрудничества.
В отличие от транзисторов FinFET, которые сегодня широко распространены, транзисторы на основе технологии GAA можно настраивать различными способами для максимизации производительности, оптимизации энергопотребления и/или максимизации плотности транзисторов.