По информации источников, Intel, SoftBank и Токийский университет объединились в новом проекте под названием Saimemory. Цель — разработать альтернативное решение высокопроизводительной памяти HBM, которое может быть использовано в будущих AI-ускорителях.
Вместо традиционного подхода с черезкремниевыми переходами (TSV), новая технология предполагает изменение маршрутизации сигналов и управления обновлением ячеек памяти, что должно повысить энергоэффективность, снизить задержки и увеличить пропускную способность.
Стартап уже получил финансирование: SoftBank выделила около $21 миллиона. Потенциальные партнёры, такие как Riken Research Institute и Shinko Electric Industries, могут присоединиться к проекту. Также планируется получить государственную поддержку для ускорения исследований. Прототипы чипов должны появиться к 2027 году, а массовое производство начаться примерно к 2030 году.
Идея создания конкурента HBM не нова. Ранее Micron и Samsung работали над Hybrid Memory Cube (HMC), который обещал скорость в 15 раз выше, чем DDR3. Однако этот стандарт так и не прижился — Micron прекратила его выпуск в 2018 году из-за слабого спроса. Это показывает, насколько сложно вытеснить устоявшиеся технологии, даже с мощной технической поддержкой.
Теперь Intel намерена повторить попытку. Если Saimemory добьётся успеха, её решения могут быть внедрены в новых AI-ускорителях от Intel, а также проверены AMD и NVIDIA. Но ключевым вопросом остаётся масштабируемость и выход на коммерческое производство. И хотя сроки пока долгосрочные, такой шаг указывает на то, что гонка за более эффективной памятью для ИИ только начинается.