Samsung сделал серьезный шаг в гонке полупроводниковых технологий, сформировав специальную команду для разработки 1-нанометрового производственного процесса. Согласно отчету Sedaily, подтвержденному инсайдером @Jukanlosreve, компания называет этот проект "процессом мечты" в полупроводниковой индустрии. Однако массового производства чипов по этой технологии стоит ждать не раньше 2029 года, что дает понять - впереди еще долгий путь исследований и испытаний.
Для реализации амбициозного плана Samsung потребуется оборудование high-NA EUV, которое пока не заказано компанией. Это ключевая технология для создания столь миниатюрных чипов. Параллельно Samsung продолжает совершенствовать свой 2-нанометровый процесс с технологией GAA (Gate-All-Around), где на этапе пробного производства удалось достичь выхода годных чипов на уровне 30% - прогресс по сравнению с 3 нм, но все еще недостаточный для массового производства.
Интересно, что Samsung, по всей видимости, временно отложил разработку 1,4-нанометрового процесса, сосредоточив ресурсы на 2 нм и новом 1 нм проекте. В то же время главный конкурент TSMC уже начал принимать заказы на 2-нанометровые чипы и, по слухам, приступил к разработке 1,4 нм технологии.
Эксперты отмечают, что даже в случае успешной разработки 1-нанометрового процесса Samsung столкнется с множеством производственных сложностей перед запуском массового выпуска. Четыре года до запланированного старта производства в 2029 году - срок немалый, и компания наверняка будет сталкиваться с различными техническими трудностями.