Samsung разрабатывает следующее поколение 400-слойной памяти V-NAND с вертикальным соединением для увеличения емкости хранения данных. Компания намерена увеличить количество слоев до 1000 в будущем. В прошлом месяце Samsung начал массовое производство QLC V-NAND 9-го поколения, которая улучшает производительность, емкость и надежность хранения данных следующего поколения. Однако Samsung уже планирует более высокую производительность с помощью будущей технологии V-NAND.
По слухам, Samsung выпустит 10-е поколение V-NAND в 2026 году с 400-слойной конфигурацией, что превышает текущее 9-е поколение на 120 слоев. Повышение количества слоев на 43% в одном поколении является значительным достижением, превышающим разрыв между 8-м и 9-м поколениями (236 против 280 слоев).
Для достижения такого количества слоев Samsung планирует использовать технологию Bonding Vertical (BV) NAND, которая отличается от существующих методов. Эта технология позволяет создавать стабильные соединения между слоями памяти, обеспечивая повышенную надежность и улучшенную производительность.