По данным инсайдера Digital Chat Station, Qualcomm тестирует инженерные образцы своего будущего флагманского чипа Snapdragon 8 Elite Gen 2 на тактовой частоте свыше 5,0 ГГц. Если компания сохранит такую производительность в финальной версии, чип сможет установить новые рекорды в одноядерных и многоядерных тестах.
Такой скачок выглядит особенно внушительно на фоне актуального Snapdragon 8 Elite, чьи производительные ядра работают на частоте до 4,47 ГГц. Предположительно, подобный рост производительности связан с переходом на новый, более совершенный техпроцесс TSMC N3P.
Впрочем, инсайдер подчёркивает, что это лишь ранние тесты, и финальная частота может быть снижена. Компании предстоит найти оптимальный баланс между пиковой мощностью и энергоэффективностью, чтобы избежать перегрева и быстрой разрядки аккумулятора в смартфонах.
Ранее тот же источник сообщал, что новый чип набрал в бенчмарке AnTuTu 3,8 миллиона баллов — почти на 41% больше, чем его предшественник. Официальный анонс Snapdragon 8 Elite Gen 2 запланирован на 23 сентября.