Оперативная память стандарта DDR5 еще не получила столь же широкого распространения на рынке, как DDR4, и не достигла обещанных производителями рабочих частот в 8000+ МГц, тем не менее, южнокорейская корпорация Samsung уже работает и над будущей DDR6 памятью. Как заявил вице-президент технологического гиганта Янгван Ко, для производства соответствующих чипов компания собирается внедрить улучшенную технологию упаковки Semi-Additive Process (mSAP). По данным специалиста, некоторые конкурирующие фирмы уже используют данную технологию при производстве DDR5 памяти.
По предварительной информации, разработка Samsung модулей оперативной памяти DDR6 может быть завершена к 2024 году. Сообщается, что новая память будет примерно в два раза быстрее, чем DDR5, в том числе и за счет очередного удвоения каналов: если планки DDR4 были одноканальными (64 бит) и для активации двухканального режима нужно было устанавливать две, то единственный модуль DDR5 уже является двухканальным – каждый канал получает 40 бит (32+8 ECC). DDR6 память будет четырехканальной, в очередной раз возрастут и тактовые частоты. В результате разогнанные модули, как ожидается, смогут достичь пропускной способности 17000 Мбит/с.