Ожидается, что Qualcomm представит Snapdragon 8 Elite Gen 2 на своём саммите 23 сентября. Однако, первые тестовые результаты уже появились в базах данных. Любопытно, что чипсет был обнаружен в смартфоне Samsung Galaxy S26 Edge.
В тесте AnTuTu процессор набрал 3,8 миллиона баллов — это примерено на 40% выше, чем у текущего лидера на Snapdragon 8 Elite. Однако, реальный потенциал чипа может быть ещё больше.
Тестирование Galaxy S26 Edge показало 3 393 балла в одноядерном режиме и 11 515 баллов в многоядерном тесте Geekbench. Чипсет использует архитектуру с двумя мощными ядрами и шестью энергоэффективными. Сам же смартфон работал под управлением операционной системы Android 16.
Максимальная частота мощных ядер достигает 4,74 ГГц, а энергоэффективные ядра работают на 3,63 ГГц. Однако, во время тестов производительные ядра не использовали весь свой потенциал, ограничившись 4,00 ГГц. Причина такого ограничения пока неизвестна.
Улучшение производительности произошло благодаря новому 3-нанометровому техпроцессу TSMC. Технология N3P предлагает повышенную энергоэффективность. Это позволило увеличить тактовые частоты без перегрева.
Стоит учитывать особенности тестирования. Geekbench 6 измеряет только кратковременную производительность. В данном аспекте устройства Samsung обычно показывают скромные результаты. Однако, ожидается, что Galaxy S26 Ultra продемонстрирует более высокие показатели.
Окончательные характеристики и реальная производительность станут известны после официального анонса. Саммит Qualcomm пройдет в конце сентября. Там представят полную информацию о новом флагманском чипсете.